64-0545-28 Nチャンネル パワーMOSFET 33 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン FDB33N25TM
33000円 64-0545-28 Nチャンネル パワーMOSFET 33 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン FDB33N25TM 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 電子部品・電源・コネクタ 半導体 ディスクリート カテゴリ一覧 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 アールエスコンポーネンツ 64-0545-28 Nチャンネル パワーMOSFET 33 A 優れた品質 表面実装 パッケージD2PAK FDB33N25TM TO-263 3 ピン 64-0545-28 Nチャンネル パワーMOSFET 33 A 優れた品質 表面実装 パッケージD2PAK FDB33N25TM TO-263 3 ピン 33000円 64-0545-28 Nチャンネル パワーMOSFET 33 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン FDB33N25TM 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 電子部品・電源・コネクタ 半導体 ディスクリート カテゴリ一覧 研究用総合機器 電子 電気部品・制御機器 アールエスコンポーネンツ 研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , 電子部品・電源・コネクタ , 半導体 , ディスクリート , カテゴリ一覧 , 研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , アールエスコンポーネンツ,/experimentative493738.html,kolkatanightlove.com,64-0545-28 Nチャンネル パワーMOSFET 33 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン FDB33N25TM,33000円 研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , 電子部品・電源・コネクタ , 半導体 , ディスクリート , カテゴリ一覧 , 研究用総合機器 , 電子 電気部品・制御機器 , アールエスコンポーネンツ,/experimentative493738.html,kolkatanightlove.com,64-0545-28 Nチャンネル パワーMOSFET 33 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン FDB33N25TM,33000円
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特徴
- UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
- UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
仕様
- 入数：1リール（800個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：33 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：250 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：94 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：235 W
- 標準ターンオフ遅延時間：75 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：166-2437
